集成電路芯片檢測依據(jù)工藝所在的階段能夠分成設(shè)計方案認證、前道量檢測和后道檢測。 集成電路芯片集成ic的生產(chǎn)制造關(guān)鍵分成 IC設(shè)計方案、 IC 前生產(chǎn)制造和 IC 后道封裝測試三大階段，范疇上對集成電路芯片檢測的了解集中化在測封階段，實際上集成電路芯片檢測圍繞生產(chǎn)工藝流程的自始至終，起起源于 IC 設(shè)計方案， 在 IC 生產(chǎn)制造中再次，停止于對封裝后集成ic的特性檢測，依據(jù)檢測工藝所在的階段，集成電路芯片檢測被分成設(shè)計方案認證、前道量檢測和后道檢測。

設(shè)計方案認證用以 IC 設(shè)計，關(guān)鍵選用電力學(xué)檢測技術(shù)性認證試品是不是完成預(yù)訂的設(shè)計方案作用。 前道量檢測應(yīng)用于圓晶的生產(chǎn)加工生產(chǎn)制造全過程，它是一種物理學(xué)性、多功能性的檢測，用于檢測每一步工藝后商品的生產(chǎn)加工主要參數(shù)是不是做到了設(shè)計方案的規(guī)定，而且查詢圓晶表面上是不是存有危害合格率的缺點，保證將生產(chǎn)加工生產(chǎn)線的良率能在要求的水準以上。后道檢測關(guān)鍵應(yīng)用于圓晶生產(chǎn)加工以后、 IC 封裝階段內(nèi)，是一種電荷、多功能性的檢測，用以查驗集成ic是不是做到特性規(guī)定， 后道檢測又細分化為 CP 檢測、 FT 檢測。 CP 檢測保證工藝達標的商品進到封裝階段， FT 檢測保證特性達標的商品最后才可以流入銷售市場。

（設(shè)計方案認證和后道檢測牽涉到的檢測基本原理、檢測機器設(shè)備同樣，其機器設(shè)備實質(zhì)上歸屬于一類機器設(shè)備，且設(shè)計方案認證所需檢測商品數(shù)量非常少，相匹配機器設(shè)備要求不大，因而文中關(guān)鍵科學(xué)研究前道量檢測、后道檢測工藝及相對機器設(shè)備。）

檢測工藝流程表

前、后道檢測機器設(shè)備的產(chǎn)品研發(fā)具備很高的技術(shù)性和資產(chǎn)堡壘，該銷售市場同光刻技術(shù)、離子注入一樣，也展現(xiàn)出海外大佬高寬比壟斷性的情況。 前道量檢測機器設(shè)備的中下游顧客是晶圓代工廠， 在該行業(yè)內(nèi)科磊以 52%的市場占有率穩(wěn)坐第一把太師椅，其塑料薄膜薄厚精確測量、缺點檢測商品具備較高的市場占有率。后道檢測機器設(shè)備中下游顧客是 IC 測封公司， 在其中日本東京高精密在探針臺市場細分市場份額達到 60%，泰瑞達與愛德萬在檢測臺銷售市場共有著超出 90%的市場占有率，而愛德萬、科休和epson的分選設(shè)備商品有著超出 60%的市場占有率。 現(xiàn)階段， 檢測機器設(shè)備早已能夠與光刻技術(shù)、離子注入等機器設(shè)備的精度維持同歩發(fā)展趨勢,該工藝的機器設(shè)備精度也慢慢變成牽制集成電路芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃的短板之一。

前、后道檢測工藝介紹

前道量檢測工藝對芯片制造擁有 尤為重要的實際意義，它是提升生產(chǎn)線合格率、減少產(chǎn)品成本的關(guān)鍵步驟，在非常大水平上決策了代工企業(yè)的市場競爭力。 晶圓代工生產(chǎn)商的成功與失敗取決于商品的合格率，合格率不合格會明顯危害生產(chǎn)商的成本費與盈利，據(jù)統(tǒng)計商品合格率每減少一個點，晶圓代工生產(chǎn)商將損害 100-800 萬美金。并且因為集成ic產(chǎn)品推廣策劃的銷售市場對話框不大，再加上市場占有率的猛烈市場競爭，顧客會首先選擇生產(chǎn)制造合格率高，供貨工作能力強的半導(dǎo)體企業(yè)開展供應(yīng)，這也代表著降低生產(chǎn)線缺點可能巨大提升公司的市場競爭整體實力。因而芯片加工同鄉(xiāng)會在生產(chǎn)制造步驟中根據(jù)前道量檢測設(shè)備監(jiān)控生產(chǎn)加工工藝，保證工藝全過程合乎明確的規(guī)定，并根據(jù)精準定位生產(chǎn)制造中難題的根本原因，立即采用調(diào)整對策，進而做到降低缺點、提高生產(chǎn)線合格率的目地。

后道檢測工藝合理減少封裝成本費，并保證原廠產(chǎn)品品質(zhì)。 CP 檢測在封裝前對集成ic開展檢測，檢測不過關(guān)的商品將不容易進到封裝階段， FT 檢測則對最后商品開展功能測試，保證原廠商品均做到顧客預(yù)訂作用， 另外也可依據(jù)生產(chǎn)線合格率意見反饋的結(jié)果，開展生產(chǎn)制造工藝上的提升。

檢測工藝操縱合格率流程表

前道量檢測監(jiān)管生產(chǎn)加工工藝十分關(guān)鍵

前道量檢測使成條前工藝生產(chǎn)線的操縱做到預(yù)設(shè)值，另外也為尋覓芯片加工中發(fā)覺的難題出示了關(guān)鍵的尋覓案件線索。集成電路芯片生產(chǎn)制造工藝流程極多，各流程中間很有可能會互相影響， 因而難以依據(jù)最終原廠商品的檢測結(jié)果精確剖析出危害商品特性與達標率的實際緣故。并且假如不可以在生產(chǎn)過程中立即檢測到工藝缺點，則此批號工藝中生產(chǎn)制造出去的很多不合格產(chǎn)品也會附加提升生產(chǎn)商的產(chǎn)品成本。 因而前道量檢測圍繞芯片制造階段自始至終，對生產(chǎn)加工生產(chǎn)制造全過程開展即時的監(jiān)管，保證每一步生產(chǎn)加工后的商品均合乎主要參數(shù)規(guī)定。 并且， 商品工作組能夠根據(jù)剖析前道量檢測造成的檢測數(shù)據(jù)信息及時處理難題根本原因， 使之可以采用最有效的方法開展解決，進而生產(chǎn)制造出主要參數(shù)勻稱、良品率高、穩(wěn)定性強的集成ic。

前道量檢測依據(jù)檢測目地能夠細分化為測量和檢測。 測量主要是對集成ic的塑料薄膜薄厚、重要規(guī)格、套準精度等做成規(guī)格和膜地應(yīng)力、夾雜濃度值等原材料特性開展精確測量，以保證其合乎主要參數(shù)設(shè)計方案規(guī)定；而檢測關(guān)鍵用以鑒別并精準定位商品表面存有的殘渣顆粒物臟污、機械設(shè)備刮傷、圓晶圖案設(shè)計缺點等難題。

前道量檢測歸類及關(guān)鍵技術(shù)性

前道量測、檢測均會采用光學(xué)技術(shù)和離子束技術(shù)性， 可是二種技術(shù)性在測量與檢測下各具不一樣的特性。電子光學(xué)測量根據(jù)剖析光的折射、透射光譜儀間接性開展精確測量，其優(yōu)勢是速度更快、屏幕分辨率高、非毀滅性，但缺陷是需依靠別的技術(shù)性開展輔助顯像；離子束量測是依據(jù)掃描立即變大顯像，其優(yōu)勢是能夠立即顯像開展精確測量，但缺陷是速度比較慢、屏幕分辨率低，并且應(yīng)用離子束開展顯像測量實際操作時必須激光切割圓晶，因而離子束測量具備毀滅性。電子光學(xué)檢測是根據(jù)光信號燈不亮比照發(fā)覺圓晶上存有的缺點，其優(yōu)勢是速度更快，但缺陷是沒法展現(xiàn)出缺點的實際外貌； 而離子束檢測能夠立即展現(xiàn)缺點的實際外貌，可是該方式 在精度規(guī)定十分高的狀況下能消耗很多的時間。

在具體的芯片制造全過程中，光學(xué)技術(shù)與離子束技術(shù)性經(jīng)常被融合應(yīng)用，例如檢測階段一般先選用電子光學(xué)檢測精準定位缺點部位，再應(yīng)用離子束檢測對缺點開展精準掃描儀顯像，二種技術(shù)性的融合應(yīng)用能夠提升量檢測的高效率，并減少對集成ic的毀滅性。

前道量檢測特性比照

前道量檢測圍繞晶圓制造全過程自始至終， 如下圖所顯示， 每一道生產(chǎn)制造工藝進行后，都必須對多個主要參數(shù)開展精確測量，對缺點狀況開展檢測，保證工藝的平穩(wěn)并做到設(shè)計方案規(guī)定。

前道量檢測工藝全景圖片

測量的關(guān)鍵功效取決于“量”，即測量晶圓制造全過程中塑料薄膜薄厚、膜地應(yīng)力、夾雜濃度值、重要規(guī)格、套刻精度等重要主要參數(shù)是不是合乎設(shè)計方案規(guī)定。針對一條一切正常運行的生產(chǎn)線而言，測量的結(jié)果應(yīng)當(dāng)全是合乎設(shè)計方案規(guī)定的，一旦發(fā)生測量結(jié)果不斷偏移設(shè)計方案值的狀況，就說明生產(chǎn)線工藝發(fā)生了難題，必須開展難題的清查。

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塑料薄膜薄厚測量： 芯片制造全過程中必須不斷堆積各種塑料薄膜，一般一個集成ic會具備幾十層塑料薄膜構(gòu)造， 而塑料薄膜的薄厚、勻稱性會對圓晶顯像解決的結(jié)果造成至關(guān)重要的危害。 因而， 為生產(chǎn)制造特性靠譜的集成ic， 塑料薄膜的品質(zhì)是確保商品最后合格率的重要。 半導(dǎo)體材料塑料薄膜按原材料區(qū)劃有金屬材料、物質(zhì)、光伏電池和光刻技術(shù)，他們或是是全透明的塑料薄膜或是不是全透明的塑料薄膜。 業(yè)內(nèi)內(nèi)一般應(yīng)用四探頭根據(jù)精確測量方塊電阻測算不全透明塑料薄膜的薄厚； 根據(jù)橢偏儀精確測量光源的反射面、偏射值測算全透明塑料薄膜的薄厚。

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膜應(yīng)能量測： 在襯底表面上堆積雙層塑料薄膜很有可能會引進強的部分能量，這類部分能量被稱作膜地應(yīng)力。 膜地應(yīng)力很有可能會造成 襯底產(chǎn)生變形，從而危害元器件的可靠性。 生產(chǎn)線上一般通過剖析因為薄膜淀積導(dǎo)致的襯底夾角轉(zhuǎn)變來開展膜抗壓強度測試，此類技術(shù)性可用以包含金屬材料、物質(zhì)和高聚物以內(nèi)的各種各樣規(guī)范塑料薄膜。開展塑料薄膜抗壓強度測試時常常應(yīng)用的技術(shù)性有電子器件掃描顯微鏡、原子力光學(xué)顯微鏡。

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夾雜濃度值測量： 離子注入是半導(dǎo)體材料夾雜工藝中一種關(guān)鍵的技術(shù)性，根據(jù)在硅片的一些地區(qū)內(nèi)引入不一樣類型的正離子，能夠使不一樣地區(qū)硅片具備不一樣的電氣性能。 工藝中應(yīng)用的雜質(zhì)濃度一般接近1010個顆粒/cm3到1018個顆粒/cm3中間， 殘渣顆粒的濃度值和遍布會對半導(dǎo)體材料的特性造成關(guān)鍵危害。 因為殘渣顆粒導(dǎo)致的晶格常數(shù)缺點會更改硅片表面的光源透射率，依據(jù)此基本原理便可測算出雜質(zhì)濃度。 現(xiàn)階段廣泛運用于精確測量雜質(zhì)濃度的方式 為熱波系統(tǒng)軟件法。

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重要規(guī)格： 半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)性的發(fā)展通常主要表現(xiàn)在元器件重要規(guī)格的減少，在 COMS 技術(shù)性中，柵寬決策了斷面長短，從而危害元器件的反應(yīng)速率。 重要尺寸檢測的一個關(guān)鍵緣故是要做到對商品全部圖形界限的精準操縱， 由于集成ic重要規(guī)格的轉(zhuǎn)變一般表明出半導(dǎo)體設(shè)備工藝中一些重要環(huán)節(jié)的多變性。 重要尺寸檢測必須精度和精確性好于 2nm的檢測儀器，可以得到這類精確測量水準的儀器設(shè)備是掃描儀透射電鏡（SEM）。

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套準精度： 集成電路芯片最后的圖型是用好幾個掩膜版依照特殊的次序在圓晶表面一層一層累加創(chuàng)建起來的。光刻技術(shù)套準精度精確測量用以保證全部電源電路圖型務(wù)必被恰當(dāng)?shù)囟ㄗ溆趫A晶表面， 而且電源電路圖型上獨立的每一部分中間的相對位置也務(wù)必是恰當(dāng)?shù)?，不然可能造?全部電源電路的無效。光刻技術(shù)操作流程的數(shù)量之多和光刻技術(shù)工藝層的總數(shù)之大，造成 光刻技術(shù)是半導(dǎo)體設(shè)備工藝的一個關(guān)鍵缺點來源于， 因而， 套準精度對全部半導(dǎo)體材料生產(chǎn)線的合格率起著關(guān)鍵的功效。如今精確測量套準精度的關(guān)鍵方式 是相關(guān)檢測光學(xué)顯微鏡，它依據(jù)干預(yù)基本原理鑒別出試品內(nèi)部的構(gòu)造，并為此分辨光刻技術(shù)掩免費模板的套準精度。

檢測關(guān)鍵取決于“檢”，即查驗生產(chǎn)過程中有沒有造成表面殘渣顆粒物臟污、結(jié)晶圖案設(shè)計缺點、機械設(shè)備刮傷等缺點， 圓晶缺點很有可能會造成 半導(dǎo)體材料商品在應(yīng)用時產(chǎn)生走電、關(guān)閉電源的狀況， 危害集成ic的良品率。 根據(jù)圓晶缺點檢測來監(jiān)管工藝，能夠降低生產(chǎn)量損害， 提升工藝合格率。特別是在如今工藝規(guī)格已經(jīng)向 14nm 下列工藝方位發(fā)展趨勢，圓晶表面的缺點規(guī)格越來越愈來愈小， 缺點造成的緣故也愈來愈多， 頻率也愈來愈高， 前檢測的必要性已獲得了普遍的認知能力。

電子光學(xué)、離子束技術(shù)相結(jié)合，高效率剖析缺點造成緣故。 現(xiàn)階段， 依據(jù)電子光學(xué)檢測迅速精準定位，離子束檢測立即顯像的特性，領(lǐng)域內(nèi)對硅片缺點檢測的廣泛作法為：光學(xué)技術(shù)與離子束技術(shù)相結(jié)合。在其中電子光學(xué)檢測機器設(shè)備用于找尋并迅速鎖住缺點部位，離子束檢測機器設(shè)備對缺點開展顯像解決， 借此機會技術(shù)性，技術(shù)工程師便可高效率找尋缺點造成緣故， 盡早明確提出解決方法。

缺點檢測從無圖型向有圖型方位發(fā)展趨勢。無圖型的硅片主要是裸硅片或有一些空缺塑料薄膜的硅片，常見做生產(chǎn)工藝流程的檢測片，在工藝完成時能用以出示空氣氧化層薄厚、表面顆粒度等工藝標準的特點信息內(nèi)容，無圖型的硅片在工藝開展后一般可清理及再運用。但因為無圖型硅片與商品片結(jié)構(gòu)類型存有不一樣，伴隨著半導(dǎo)體材料商品工藝愈來愈小，構(gòu)造愈來愈繁雜，晶圓代工廠逐漸變?yōu)閼?yīng)用生產(chǎn)制造中的有圖型的商品片開展線上檢測監(jiān)管， 便于更立即體現(xiàn)工藝生產(chǎn)流水線中產(chǎn)生的狀況，為制做精英團隊出示更為精確的信息內(nèi)容，且有利于減少無圖型硅片成本費。針對表面缺點的檢測，常應(yīng)用顯微鏡的光透射技術(shù)性和掃描儀透射電鏡查驗技術(shù)性。

無圖型圓晶與有圖型圓晶平面圖

前道量檢測機器設(shè)備類型多種多樣

前道量檢測機器設(shè)備類型多種多樣，但大致全是依據(jù)電子光學(xué)和離子束基本原理開展工作中。 依據(jù)檢測標底對合格率的危害水平， 橢偏儀、四探頭、 熱波系統(tǒng)軟件、相關(guān)檢測光學(xué)顯微鏡、顯微鏡和掃描儀透射電鏡是前道量檢測行業(yè)內(nèi)較為關(guān)鍵的機器設(shè)備。為考慮將來更為嚴苛的精度規(guī)定，機器設(shè)備公司除開在原來技術(shù)性的基本上開展工藝改善，特性提高外， 還會繼續(xù)提升掃描儀透射電鏡、隧道施工光學(xué)顯微鏡和原子力光學(xué)顯微鏡在前道量檢測工藝中的運用比例。

前道量檢測標底、機器設(shè)備及基本原理

橢偏儀： 精確測量全透明、透明色塑料薄膜薄厚的流行方式 ，它選用偏振光源發(fā)送激光器，當(dāng)光在樣版中產(chǎn)生反射面時， 會造成橢圓形的光的偏振。 橢偏儀根據(jù)精確測量反射面獲得的橢圓偏振，并融合已經(jīng)知道的鍵入值精準測算出塑料薄膜的薄厚，是一種非毀滅性、非觸碰的光學(xué)薄膜薄厚檢測技術(shù)。 在圓晶生產(chǎn)加工中的引入、離子注入和平整化等一些必須即時檢測的生產(chǎn)加工流程內(nèi)， 橢偏儀能夠立即被集成化到工藝機器設(shè)備上， 為此明確工藝中膜厚的生產(chǎn)加工終點站。

四探頭： 精確測量不全透明塑料薄膜薄厚。 因為不全透明塑料薄膜沒法運用光學(xué)原理開展精確測量，因而會運用四探頭儀器測量方塊電阻，依據(jù)膜厚與方塊電阻中間的關(guān)聯(lián)等效替代法膜厚。 方塊電阻能夠了解為硅片上方形塑料薄膜兩邊中間的電阻器， 它與塑料薄膜的電阻和薄厚有關(guān)， 與方形層析的規(guī)格不相干。 四探頭將四個在一條平行線上等間距置放的探頭先后與硅片開展觸碰， 在外面的二根探頭中間釋放已經(jīng)知道的電流量，另外測得里側(cè)二根探頭中間的電位差，從而便可獲得方塊電阻值。

熱波系統(tǒng)軟件：精確測量夾雜濃度值。 熱波系統(tǒng)軟件根據(jù)精確測量聚焦點在硅片高度一致一點的兩束激光器在硅片表面透射率的變化量來測算殘渣顆粒的引入濃度值。 在該系統(tǒng)軟件內(nèi)， 一束激光器根據(jù)亞氣激光發(fā)生器造成加溫的波使硅片表面溫度上升， 熱硅片會造成 另一束氦氖激光的透射系數(shù)產(chǎn)生變化，這一變化量正比例于硅片中由殘渣顆粒引入而造成的晶體缺陷點的數(shù)量。 從而， 精確測量殘渣顆粒濃度值的熱波數(shù)據(jù)信號探測儀能夠?qū)⒕Ц癯?shù)缺點的數(shù)量與夾雜濃度值等引入標準聯(lián)絡(luò)起來，敘述離子注入工藝后塑料薄膜內(nèi)殘渣的濃度值標值。

相關(guān)檢測光學(xué)顯微鏡：套準精度測量設(shè)備。 相關(guān)檢測光學(xué)顯微鏡主要是運用相關(guān)光的干涉基本原理，將相干光的相位角變換為光程差。 它可以得到沿硅片豎直方位上硅片表面的圖象信息內(nèi)容，根據(jù)相關(guān)光的干涉圖型能夠辨別出試品內(nèi)部的繁雜構(gòu)造，提高了 CMP 后低飽和度圖案設(shè)計的套刻顯像工作能力。

顯微鏡 ： 迅速精準定位表面缺點。 顯微鏡使用光的反射或散射來檢測晶圓表面缺陷，由于缺陷會導(dǎo)致硅片表面不平整，進而表現(xiàn)出對光不同的反射、散射效應(yīng)。 根據(jù)對收到的來自硅片表面的光信號進行處理，光學(xué)顯微鏡就可以定位缺陷的位置。光學(xué)顯微鏡具有高速成像，成本經(jīng)濟的特點， 是目前工藝下的一種主要的缺陷檢測技術(shù)。

光學(xué)顯微鏡實物圖

掃描電子顯微鏡：對缺陷進行精準成像。 掃描電子顯微鏡的放大倍數(shù)能夠達到百萬倍，能夠提供尺寸更小缺陷的信息，其放大性能明顯高于光學(xué)顯微鏡。 掃描電子顯微鏡通過波長極短的電子束來掃描硅片，通過收集激發(fā)和散射出的二次電子、散射電子等形成硅片表面的圖形，并得到不同材料間顯著的成分對比。

后道檢測工藝流程圖

后道檢測工藝涉及到的檢測設(shè)備主要有測試臺、探針臺和分選機。其中測試臺與探針臺組合運用于 CP 測試。因為此時的晶圓尚未進行產(chǎn)品封裝，晶圓上集成著眾多微小尺寸的待測芯片， 需要通過探針臺與晶圓芯片進行精確接觸，以連通待測芯片與測試臺之間的電路。而 FT 測試使用的設(shè)備主要有測試臺和分選機。 因為此時的芯片經(jīng)歷了封裝

環(huán)節(jié)，每個芯片上均有引腳可以與分選機上的“金手指”相連接。

后道檢測設(shè)備全景圖

1、測試臺：芯片功能與性能的檢測設(shè)備

測試臺是檢測芯片功能和性能的專用設(shè)備。測試時， 測試臺對待測芯片施加輸入信號， 得到輸出信號與預(yù)期值進行比較，判斷芯片的電性性能和產(chǎn)品功能的有效性。在 CP、 FT 檢測環(huán)節(jié)內(nèi)，測試臺會分別將結(jié)果傳輸給探針臺和分選機。當(dāng)探針臺接收到測試結(jié)果后，會進行噴墨操作以標記出晶圓上有缺損的芯片；而當(dāng)分選器接收到來自測試臺的結(jié)果后，則會對芯片進行取舍和分類。

測試臺的內(nèi)部具有各種不同類型的測試功能電路板， 它能對集成電路進行直流參數(shù)、交流參數(shù)和芯片功能測試。直流參數(shù)測試（DC） 是對電路的電學(xué)參數(shù)進行測量， 主要考慮的是芯片每個引腳的測試效率和測試的準確度。 該參數(shù)測試以電壓或者電流的形式驗證高低電平的電壓、功耗、驅(qū)動能力和噪聲干擾等電氣參數(shù)。常用的方法有施加電壓測量電流（IFVM） 或施加電流測量電壓（VFIM）。

交流參數(shù)測試（AC） 是對電路工作時的時間關(guān)系進行測量，它最看重的是最大測試速率和重復(fù)性能，其次是準確度。 該參數(shù)測試以時間為單位驗證相關(guān)芯片電路的建立時間、保持時間、上升時間、下降時間以及傳輸延遲時間等參數(shù)。

芯片功能測試用來驗證芯片是否能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)計的既定功能。 所施加的激勵信號以一定方式在電路中傳輸，確保能夠?qū)﹄娐穬?nèi)部的所有部分都進行驗證，以測試電路的所有部分是否都正常工作。功能測試的基本方法是，用一組有序的組合測試圖形作用于待測器件，比較電路的輸出與預(yù)期數(shù)據(jù)是否相同，以此判別該電路的功能是否正常。

測試臺隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展， 其檢測的產(chǎn)品更加復(fù)雜、檢測速度也在逐漸提高。 從上世紀 60 年起，測試臺已經(jīng)從最初的針對簡單、 低芯片引腳數(shù)的低速測試系統(tǒng)逐步發(fā)展到適用于超大規(guī)模、復(fù)雜結(jié)構(gòu)集成電路的高速測試系統(tǒng)。

測試臺的發(fā)展歷史

可以預(yù)見高測試速率、 強通用性將會成為未來測試臺發(fā)展的方向。 提高檢測速率可以使得測試臺在單位時間內(nèi)測試更多的芯片，如此便會降低單個芯片上所負擔(dān)的生產(chǎn)成本。 傳統(tǒng)的檢測臺是面向分立器件、存儲器、數(shù)字電路等特定類型的半導(dǎo)體產(chǎn)品， 如今隨著集成電路種類界限愈發(fā)模糊，柔性檢測方式因其通用式的檢測方法可以為下游半導(dǎo)體檢測廠商極大的節(jié)省成本并縮短檢測時間，故而通用性強的全自動檢測設(shè)備已經(jīng)成為未來各大生產(chǎn)廠商的主攻方向。

2、探針臺：運用于 CP 環(huán)節(jié)晶粒與測試臺的連接

探針臺用于晶圓加工之后、封裝工藝之前的 CP 測試環(huán)節(jié)， 負責(zé)晶圓的輸送與定位， 使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個測試。 探針臺的工作流程為，首先通過載片臺將晶圓移動到晶圓相機下，通過晶圓相機拍攝晶圓圖像，從而確定晶圓的坐標位置；再將探針相機移動到探針卡下面，從而確定探針頭的坐標位置；得到兩者的位置關(guān)系后，即可將晶圓移動到探針卡下面，通過載片臺垂直方向運動實現(xiàn)對針功能。

探針臺是晶圓后道測試的高精密裝備， 其技術(shù)壁壘主要體現(xiàn)在系統(tǒng)的精準定位、微米級運動以及高準確率通信等關(guān)鍵參數(shù)。

探針臺的發(fā)展歷史可以追溯到上世紀 60 年代，經(jīng)歷了多年的技術(shù)耕耘， 該行業(yè)如今主要為東京精密（Accretech）、東京電子（Tokyo Electron Ltd）與伊智（Electroglas）三家公司所壟斷。 雖然國內(nèi)廠商近幾年奮起直追，但是在設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)方面仍與國外先進廠商存在較大的差距，未來國產(chǎn)設(shè)備公司將會有很大的增長空間。

未來探針臺發(fā)展方向：增加測試標的&較少晶圓測試損傷測試品種增多。 早期的探針臺主要針對一些分立器件進行測試，測試精度要求不是很高。隨著信息化技術(shù)的發(fā)展其產(chǎn)品測試已經(jīng)擴展到 SOC 等領(lǐng)域，預(yù)期在未來工藝的推動下，會有針對更加先進產(chǎn)品的探針臺不斷問世。微變形接觸技術(shù)。 晶圓是高價值產(chǎn)品， 所以在操作過程中盡量避免出現(xiàn)任何損壞晶圓的可能性。